希華晶振,石英晶振,CGX-50322晶體,從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品,透過最佳團隊組合及先進之生產(chǎn)技術(shù),建立完整的產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶振、石英晶體振蕩器、石英晶體濾波器、溫補晶振及電壓控制型產(chǎn)品等,以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng),為客戶提供全方位的服務(wù)。
希華電子通過理論與實際相結(jié)合,累積多年的晶振研磨經(jīng)驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù),注重貼片晶振研磨過程的各種細節(jié),注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇
希華晶振規(guī)格 |
單位 |
CGX-50322晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8.000MHZ~54.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
10pF ,12PF,16PF,18PF,20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時注意事項
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
(1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
晶振產(chǎn)品類型 |
晶振焊接條件 |
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下 |
手工焊接+300°C或低于3秒鐘 |
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230° |
+260°C或低于@最大值 10 s |
(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷.請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.
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盡可能使溫度變化曲線保持平滑:
我們將持續(xù)關(guān)注企業(yè)社會責(zé)任各項新議題,使本公司更加完整并落實企業(yè)社會責(zé)任所有面向。對內(nèi),我們將透過各種教育訓(xùn)練與活動,用心創(chuàng)造一個多元且充滿活力的工作環(huán)境 (例如健康促進活動)。
環(huán)境行為評價:評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認支撐著本方針的成績。我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn)。
藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實施。
并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述。本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動、產(chǎn)品及服務(wù)。