高利奇晶振,有源石英晶振,GXO-5301晶振,普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應自動貼裝等優(yōu)勢.
溫補晶振的真空封裝技術：是指溫補晶振在真空封裝區(qū)域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一
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項目 |
符號 |
規(guī)格參數(shù) |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
0.5-156.25MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.3 V to 5.0 V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關信息 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
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待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。
輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的有源晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作。
高利奇晶振,有源石英晶振,GXO-5301晶振
高利奇石英晶振公司認真對待環(huán)境,管理環(huán)境管理系統(tǒng),并將其重新編碼到ISO14001.我們的環(huán)境政策,作為我們不斷改進的動力低電壓晶振的一部分,我們也鼓勵員工在生活的各個方面都意識到他們對環(huán)境的影響.
在我們的環(huán)境范圍允許的情況下,我們致力于防止污染.最低限度我們將確保遵守所有相關的環(huán)境法規(guī)和規(guī)章和內部環(huán)境程序.在此之上,我們將不斷努力改善我們的環(huán)境性能.在選擇晶體晶振,3225封裝SMD晶振原材料供應商和承包商時考慮環(huán)境因素,從而減少污染.進一步減少污染,合理使用資源.減少使用和再利用,或者盡可能地回收利用.我們確保這一政策在我們的運營過程中得到貫徹執(zhí)行.
高利奇石英晶振公司培訓我們團隊中的每一個成員,了解他們自己的工作對環(huán)境的影響,在可能選擇有或正在努力爭取的供應商ISO14001的情況下.此外,我們還積極鼓勵我們的員工將他們高精度石英晶體振蕩器工作生活中所獲得的環(huán)境意識應用到他們自己的私人生活中.我們遵守ISO14001原則,努力實現(xiàn)完全的法規(guī)遵循.
高利奇晶振,有源石英晶振,GXO-5301晶振
高利奇晶振,有源石英晶振,GXO-5351晶振
