NDK晶振,貼片晶振,NV7050SF晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
石英晶振的切割設(shè)計:用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。
項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
12.5-62MHZ |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com |
H: -40℃to +105℃ |
|||
J: -40℃to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置石英晶振。
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。有源晶振,移動通信振蕩器,NV7050SF晶振
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值。
(3)振蕩期間測量R的值。
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。有源晶振,移動通信振蕩器,NV7050SF晶振
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。
如果有源晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL)。
采用具有較低電阻(RR)的晶振。
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計。我們可以增加鎘(XOUT)的貼片晶振負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。
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日本電波工業(yè)株式已經(jīng)建立和正在推動一項中期計劃的具體減排目標(biāo),以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因。它也有助于減少(抑制)CO2排放量,通過使用最先進(jìn)的技術(shù),實現(xiàn)最小化,以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗,以支持社會的需要。
日本電波工業(yè)株式NDK晶振的新概念的石英晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件。通過貼片晶振,石英晶振等產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績效的舉措。制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—耐高溫晶振這些是倡議的支柱。
制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下,發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法。有源晶振,移動通信振蕩器,NV7050SF晶振
日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說的LCA指的是“生命周期評估”,它包括評估產(chǎn)品的壽命。在這里,產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段,而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開采階段,包括石英晶體,日本光波VCXO晶振,差分晶振,有源晶振產(chǎn)品的制造階段,銷售階段,包括到產(chǎn)品交付給用戶使用的階段,包括產(chǎn)品使用由用戶和維修/維護(hù)參與它,和處置階段,通過用戶廢棄產(chǎn)品回收,回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國際標(biāo)準(zhǔn)。NDK晶振,貼片晶振,NV7050SF晶振