高利奇晶振,溫補(bǔ)晶振,OCXOWST晶振,OCXOVST晶振,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本WLAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)
|
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
|
輸出頻率范圍 |
f0 |
10.0kHz ~ 54.0MHz |
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
|
電源電壓 |
VCC |
3.3V |
請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com |
|
H: -40℃ to +105℃ |
|||
|
J: -40℃ to +125℃ |
|||
|
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
|
T: ±150 × 10-6 |
|||
|
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
|
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
|
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
|
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
|
VIL |
20 % VCCMax. |
||
|
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
|
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
|
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
|
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
|
輸出頻率范圍 |
f0 |
10.0kHz ~ 54.0MHz |
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
|
電源電壓 |
VCC |
5V |
請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com |
|
H: -40℃ to +105℃ |
|||
|
J: -40℃ to +125℃ |
|||
|
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
|
T: ±150 × 10-6 |
|||
|
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
|
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
|
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
|
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
|
VIL |
20 % VCCMax. |
||
|
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
|
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
|
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn)：
方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過(guò)晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。
方法2：采用小電阻（RR）的晶體。
方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。
我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說(shuō)明書(shū)后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大。
高利奇溫補(bǔ)晶振環(huán)保理念
高利奇石英晶振公司通過(guò)BSI質(zhì)量保證,獲得了ISO 9001:2015的認(rèn)證.BSI是世界領(lǐng)先的認(rèn)證機(jī)構(gòu)之一.自我們于1996年在ISO 9002 - 1994的原始認(rèn)證以來(lái),每一項(xiàng)評(píng)估都顯示出一份清潔的健康法案,沒(méi)有不一致的情況.
作為世界領(lǐng)先的石英晶振,貼片晶振, 石英晶體諧振器,石英晶體供應(yīng)商,高利奇晶振公司敏銳地意識(shí)到我們的責(zé)任,確保我們的產(chǎn)品不受有害物質(zhì)和高度關(guān)注的物質(zhì)的影響,而且所有的部件材料都是由無(wú)沖突地區(qū)負(fù)責(zé)的.
高利奇石英晶振公司認(rèn)真對(duì)待環(huán)境,管理環(huán)境管理系統(tǒng),并將其重新編碼到ISO14001.我們的環(huán)境政策,作為我們不斷改進(jìn)的動(dòng)力的一部分,我們也鼓勵(lì)員工在生活的各個(gè)方面都意識(shí)到他們對(duì)環(huán)境的影響.
在我們的環(huán)境范圍允許的情況下,我們致力于防止污染.最低限度我們將確保遵守所有相關(guān)的環(huán)境法規(guī)和規(guī)章和內(nèi)部環(huán)境程序.在此之上,我們將不斷努力改善我們的環(huán)境性能.
Greenray晶振,恒溫晶振,YH1300晶振
Greenray晶振,恒溫晶體振蕩器,YH1320/1321晶振
