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首頁 高利奇晶振

GolledgeCrystal,石英晶體振蕩器,RV1805C3晶振,RV8523C3晶振

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產(chǎn)品簡介

頻率:32.768kHz, 1024Hz, 32Hz & 1Hz 尺寸:3.7*2.5mm 有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..

產(chǎn)品詳情

1XQJXGL-1

GolledgeCrystal,石英晶體振蕩器,RV1805C3晶振,RV8523C3晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-ExpressSDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。2GGCSGL-2

項(xiàng)目

符號(hào)

RV1805C3規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

32.768kHz ~ 1/60Hz

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.5 V to 3.6V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

項(xiàng)目

符號(hào)

RV8523C3規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

32.768kHz ~ 1Hz

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.2 V to 5.5V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40to +85

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com

H: -40to +105

J: -40to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC, L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25,初年度,第一年

3CCGL-3

rv3029c3 3725 RTC

4ZYSXGL-4

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)

(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。

(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。

(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。

(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C +35°C,濕度 25 % RH 85 % RH(請(qǐng)參閱測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件章節(jié)內(nèi)容)。

(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。GolledgeCrystal,石英晶體振蕩器,RV1805C3晶振,RV8523C3晶振

5HBFZGL-5

高利奇SMD晶振環(huán)保理念

高利奇石英晶振公司培訓(xùn)我們團(tuán)隊(duì)中的每一個(gè)成員,了解他們自己的工作對(duì)環(huán)境的影響,在可能選擇有或正在努力爭取的供應(yīng)商ISO14001的情況下.此外,我們還積極鼓勵(lì)我們的員工將他們工作生活中所獲得的環(huán)境意識(shí)應(yīng)用到他們自己的私人生活中.我們遵守ISO14001原則,努力實(shí)現(xiàn)完全的法規(guī)遵循.

高利奇石英晶振公司深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀,牢固樹立安全發(fā)展理念,強(qiáng)化責(zé)任,狠抓落實(shí),加強(qiáng)防范,堅(jiān)決遏制重特大事故發(fā)生.

要毫不松懈地抓好聲表面諧振器、壓電石英晶體、貼片晶振,有源晶振、安全環(huán)保工作,堅(jiān)持把“環(huán)保優(yōu)先、安全第一、質(zhì)量至上、以人為本”的理念落實(shí)到生產(chǎn)建設(shè)全過程.

帶動(dòng)各項(xiàng)安全環(huán)保工作規(guī)范化、程序化、科學(xué)化管理,加快實(shí)現(xiàn)安全環(huán)保形勢(shì)持續(xù)好轉(zhuǎn)、根本好轉(zhuǎn)的工作思路.

6LXFSGL-6

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