微晶晶振,有源晶振,RV-3029-C2晶振,32.768KHZ晶振,微晶在瑞士、泰國建有生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證,并達(dá)到RoHS,REACh等規(guī)范的要求。全球約550個員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石。我們對管理、環(huán)境、社會責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則(比如對有爭議的原材料的問題上),這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因。
5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計:石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對簡單,第4項(xiàng)的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計提出了更精準(zhǔn)的要求。
項(xiàng)目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
32.768KHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.3 V to 5.5 V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com |
H: -40℃to +105℃ |
|||
J: -40℃to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
如果由頻率計數(shù)器測量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加石英有源晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整。微晶晶振,有源晶振,RV-3029-C2晶振,32.768KHZ晶振
如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過以下三種方法改進(jìn):方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過石英晶體具有較低負(fù)載電容(CL)。方法2:采用小電阻(RR)的晶體。方法3:使用鎘和CG的不等價的設(shè)計。
我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本,保證安全。請用頻率計數(shù)器來測量所述進(jìn)口振蕩器,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格,請采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大。

瑞士大微晶晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā)。環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的陶瓷面有源晶振、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動。瑞士微晶晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán)。微晶晶振,有源晶振,RV-3029-C2晶振,32.768KHZ晶振
通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖。避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn)。遵守有關(guān)壓控晶體振蕩器環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn)。在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識。確保公眾環(huán)境保護(hù)活動的信息公開。
微晶集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少5032貼片晶振廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時,努力改進(jìn)我們的操作。我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。 微晶晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī)。為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系。