IDT晶振,7050晶體振蕩器,8N4Q001晶振
IDT晶振,7050晶體振蕩器,8N4Q001晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性
型號 |
8N4Q001(XO) |
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輸出頻率范圍 |
15.476MHz to 866.67MHz , 975MHz to 1,300MHz |
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電源電壓范圍 |
2.5 to 3.3V |
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電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
|
待機(jī)時電流 |
-請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
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長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |


晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時注意事項(xiàng)
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
(1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
晶振產(chǎn)品類型 |
晶振焊接條件 |
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下 |
手工焊接+300°C或低于3秒鐘 |
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230° |
+260°C或低于@最大值 10 s |
(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息


IDT 晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾.
環(huán)境管理體系:在每一個運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo).
聯(lián)系人:李玉龍
電話:86-0755-27839151
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