微晶晶振,微晶32.768K,CC1V-T1A晶振
微晶晶振,石英晶振,CC1V-T1A晶振,可滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.石英晶振的切割設(shè)計:用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。
微晶晶振規(guī)格 |
單位 |
微晶晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振在產(chǎn)品應(yīng)用中頻率偏差超過要求怎么辦呢?
我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個方法:
調(diào)整外部電容,Cd和CG的值。
如果由頻率計數(shù)器測量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然。
可以采用不同負(fù)載電容(CL)的晶振試用。
試用晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。
請檢查波形幅度是否是正?;虿皇褂檬静ㄆ?,正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況。
頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。
瑞士微晶溫補(bǔ)晶振減少污染物排放,對不可再生的資源進(jìn)行有效利用。減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源。通過設(shè)計工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全。提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營現(xiàn)狀進(jìn)行糾正。
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境。遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī)。
2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性。
3.有效利用石英晶體,貼片晶振材料資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行石英晶振,壓電石英晶體振蕩器,水晶振蕩子等原材料的有效利用。
4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻(xiàn),致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會。
5.推進(jìn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn)。
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染。
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