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高利奇晶振,有源晶振,MCSO1晶振,MCSO1E晶振,MCSO1F晶振
高利奇晶振,有源晶振,MCSO1晶振,MCSO1E晶振,MCSO1F晶振,具有最適合于移動通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對應回流焊） 無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求
晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
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項目 |
符號 |
MCSO1規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
10.0kHz ~ 225MHz |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
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電源電壓 |
VCC |
1.8V-5.0 V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-65℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.ljbzc.com |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
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待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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|
VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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項目 |
符號 |
MCSO1E規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
10.0kHz ~ 225MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.8V-3.3V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-65℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -55℃ to +120℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
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待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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項目 |
符號 |
MCSO1F規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
32.0kHz ~ 100MHz |
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電源電壓 |
VCC |
2.5V-5.0 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-65℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -55℃ to +120℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
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待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。
3：化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。高利奇晶振,有源晶振,MCSO1晶振,MCSO1E晶振,MCSO1F晶振
高利奇SMD晶振環(huán)保理念
高利奇石英晶振公司認真對待環(huán)境,管理環(huán)境管理系統(tǒng),并將其重新編碼到ISO14001.我們的環(huán)境政策,作為我們不斷改進的動力的一部分,我們也鼓勵員工在生活的各個方面都意識到他們對環(huán)境的影響.
在我們的環(huán)境范圍允許的情況下,我們致力于防止污染.最低限度我們將確保遵守所有相關(guān)的環(huán)境法規(guī)和規(guī)章和內(nèi)部環(huán)境程序.在此之上,我們將不斷努力改善我們的環(huán)境性能.
在選擇晶體壓控晶振,石英振蕩器原材料供應商和承包商時考慮環(huán)境因素,從而減少污染.進一步減少污染,合理使用資源.減少使用和再利用,或者盡可能地回收利用.我們確保這一政策在我們的運營過程中得到貫徹執(zhí)行.
高利奇石英晶振公司培訓我們團隊中的每一個成員,了解他們自己的工作對環(huán)境的影響,在可能選擇有或正在努力爭取的供應商ISO14001的情況下.此外,我們還積極鼓勵我們的員工將他們工作生活中所獲得的環(huán)境意識應用到他們自己的私人生活中.我們遵守ISO14001原則,努力實現(xiàn)完全的法規(guī)遵循.
聯(lián)系人：李玉龍
電話：86-0755-27839151
手機：13828756848
QQ:987260611
地址：深圳市寶安區(qū)中心區(qū)商都賽格電子大廈1C48
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