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NSK晶,有源晶振,差分晶振,NADD 7X5晶振

尺寸:5.0x7.0mm 頻率:77.76M~200MHZ, 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗

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產(chǎn)品相關(guān)資料

1XQJX

NSK-1

NSK晶,貼片晶振,NADD 7X5晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,有源晶振被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

津綻晶振公司是世界領(lǐng)先的頻率控制元件制造商：石英晶體、晶體振蕩器、壓控晶體振蕩器的主要和關(guān)鍵的電子產(chǎn)品的一部分.津綻為客戶提供高質(zhì)量的晶體元件在電子產(chǎn)品的廣泛使用,例如,無線、電信、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算機(jī)及外圍設(shè)備、GSM等通信設(shè)備.津綻一直支持臺灣與國際客戶提供質(zhì)量晶體超過10年.

NSK-2

型號	符號	NADD 7X5
輸出規(guī)格	-	LVDS
輸出頻率范圍	fo	77.76~622.08MHz
電源電壓	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40?+85℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	-10?+70℃ ,-40?+85℃
消耗電流	I_CC	20mA max.
待機(jī)時電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形對稱	SYM	45?55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	-
1電平電壓	V_OH	-
上升時間下降時間	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分輸出電壓	V_OD1, V_OD2	0.247?0.454V
差分輸出誤差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
補(bǔ)償電壓	V_OS	1.125?1.375V
補(bǔ)償電壓誤差	⊿V_OS	50mV
交叉點(diǎn)電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時間	tPLZ	200ns
輸出使能時間	tPZL	2ms
周期抖動（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖動	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

NSK-3

NADD 75 7050 LVDS OSC

4ZYSX

NSK-4

以下是NSK石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問題：
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：
線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|?R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：
降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒有足夠的輸出波形振幅.
5HBFZ

臺產(chǎn)晶振津綻NSK環(huán)?；纠砟睿?/span>

1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).

2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.

3.有效利用資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.

4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻(xiàn),致力于減少石英晶振,貼片晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器,NSK石英體廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會.

5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).

6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.

NSK晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策：實(shí)行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高石英晶振,有源晶體振蕩器,OSC晶振材料的+能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運(yùn)用經(jīng)濟(jì)手段保護(hù)環(huán)境.大力推進(jìn)科技進(jìn)步,加強(qiáng)環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護(hù)產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強(qiáng)化環(huán)境管理.加強(qiáng)環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識.NSK晶,貼片晶振,NADD 7X5晶振

6LXFS

NSK-6

聯(lián)系人：李玉龍

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NADD 7X5晶振 7050差分石英晶振差分晶體振蕩器

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